[新存储方案之热辅助阵营]

　　希捷（Seagate Technologies）希望首先采用 “热辅助磁性写入”（Heat-assisted Magnetic Recording）的技术，对存储单元进行加热；
　　硬盘按位存储数据，每个数据位是由50-100个钴- 铂微粒组成，当这些微粒被按一定方向磁化后，数据位成了“1”或“0”的表示。
为了提高存储密度，多年来工程师一直在缩小数据位和微粒的尺寸，这协助PC厂商将硬盘存储容量由数MB提高到了100 GB。但是，多年来的缩微化已经使得磁粒的尺寸仅有8 纳米长。
　　进一步减少磁粒的尺寸会造成它们在室温下翻转，数据会因此受到损坏--亦即所谓的“超顺磁效应”（Superparamagnetic Effect）。减少每个数据位中的微粒数量，就会提高硬盘的噪音和降低可靠性。硬盘厂商已经利用垂直存储技术争取了一些时间，但这一技术并没有解决“无法再缩小”的难题。

　　热辅助写入阵营希望改变微粒。 Mark Kryder表示，与钴- 铂微粒不同的是，铁- 铂微粒在室温下不会翻转。为了写入或删除数据，被整合在硬盘中的激光将会加热一个具体数据位，当数据被存储或删除后，数据位将迅速冷却。他指出，增加激光会大幅度提高成本。
但是，材料的改变并非易事。例如，半导体制造由铝转向铜时给芯片厂商带来了很大麻烦。对于热辅助写入技术而言，工程师必须找到精确定位激光的完美方式。

　　当前的垂直纪录技术在HAMR技术应用之前，可以达到0.5-1Tb每平方英寸的储存密度。希捷研究预测使用HAMR技术，或者结合bit patterned media技术，可以获得50terabit每平方英寸的储存密度，但50Tb每平方英寸的储存密度已经是HAMR技术的极限，而且如此高的密度可能在2020年才能实现。